IGBT中频电炉

●恒功率输出确保电源变压器可利用容量利用100%利用
●功率因数始终大于0.95，无须配备繁杂的补偿系统
●与可控硅电炉相比可以节电10%-20%
●无高次谐波干扰，对电网无污染
●信号采用光纤传输，抗干扰能力强
●采用数字锁相技术，频率稳定度高
●多重保护功能（双重死区保护，IGBT保护及过流、过压、超温、断水等各项保护）
●工作频率范围宽，广泛用于熔炼、透热、淬火等热处理工艺
●采用PLC智能控制，运行参数可事先预置
●可实现编程运行模式，实现全自动运行
●全封闭内循环水冷系统，确保设备安全。
●实时多点温度控制及自动巡回检测，消除器件过热隐患。
●可初现操作容错功能，用户错误操作不会对设备造成损坏
●采用优秀的多频点预置技术具有100%的成功启动率。

IGBT中频电炉介绍

　　(1)IGBT中频炉是一种采用串联谐振式的中频感应熔炼炉，它的逆变器件为一种新型IGBT模块（绝缘栅双极型晶体管，德国生产），它主要用于熔炼普通碳素钢、合金钢、铸钢、有色金属。它具有熔化速度快、节能、高次谐波污染低等优点。
　　(2)IGBT中频炉为一种恒功率输出电源，加少量料即可达到满功率输出，并且始终保持不变，所以熔化速度快；因逆变部分采用串联谐振，且逆变电压高，所以IGBT中频比普通可控硅中频节能；IGBT中频采用调频调功，整流部分采用全桥整流，电感和电容滤波，且一直工作在500V，所以IGBT中频产生高次谐波小，对电网产生污染工低。
　　(3)节能型IGBT晶体管中频炉比传统可控硅中频炉可节能15%-25%,节能的主要原因有以下几下方面：
a. 逆变电压高，电流小，线路损耗小，此部分可节能15%左右，节能型IGBT晶体管中频炉逆变电压为2800V，而传统可控硅中频炉逆变电压仅为750V，电流小了近4倍，线路损耗大大降低。
b. 功率因数高，功率因数始终大于0.98，无功损耗小，此部分比可控硅中频炉节能3%-5%。由于节能型IGBT晶体管中频炉采用了半可控整流方式，整流部分不调可控硅导通角，所以整个工作过程功率因数始终大于0.98，无功率损耗小。
炉品热损失小，由于节能型IGBT晶体管中频炉比同等功率可控硅中频炉一炉可快15分钟左右，15分钟的时间内炉口损失的热量可占整个过程的3%，所以此部分比可控硅中频可节能3%左右。
　　(4)高次谐波干扰：高次谐波主要来自整流部分调压时可控硅产生的毛刺电压，会严重污染电网，导致其他设备无法正常工作，而节能型IGBT晶体管中频炉的整流部分采用半可控整流方式，直流电压始终工作在zui高，不调导通角，所以它不会产生高次谐波，不会污染电网、变压器，开关不发热，不会干扰工厂内其他电子设备运行。
　　(5)恒功率输出：可控硅中频炉采用调压调功，而节能型IGBT晶体管中频炉采用调频调功，它不受炉料多少和炉衬厚薄的影响，在整个熔炼过程中保持恒功率输出，尤其是生产不锈钢、铜、铝等不导磁物质时，更显示它的优越性，熔化速度快，炉料元素烧损少，降低铸造成本。

IGBT中频电炉技术数据

型号	进线电压(V)	进线电流(A)	额定功率(KW )	额定频率(KHz)
IGPS-250-2.5S	380	400	250	2.5
IGPS-300-2.5S	380	480	300	2.5
IGPS-400-2.5S	380	640	400	1
IGPS-500-1S	380	800	500	1
IGPS-600-1S	380	960	600	1
IGPS-700-1S	380	1120	700	1
IGPS-900-1S	380	1440	900	1
IGPS-1200-1S	380	1920	1200	1
IGPS-1500-1S	380	2400	1500	1
IGPS-2000-1S	380	3200	2000	1

ＩＧＢＴ中频电炉技术参数

炉体容量	输入交流电压	直流电压	功率	直流电流	感应圈电压
0.25T	380V	500V	170KW	350A	2800V
0.5T	380V	500V	170KW	350A	2800V
0.75T	380V	500V	170KW	350A	2800V
1.0T	380V	500V	170KW	350A	2800V
2.0T	380V	500V	170KW	350A	2800V