中频炉的逆变可控硅的选定方法

1)根据中频炉的工作频率段选定；

频率在100HZ---  500HZ的选定关断时间在20µs-45µs的KK型可控硅。

 频率在500HZ--- 1000HZ的选定关断时间在18µs-25µs的KK型可控硅。

频率在1000HZ---2500HZ的选定关断时间在12µs-18µs的KK型可控硅。

频率在2500HZ---4000HZ的选定关断时间在10µs-14µs的KKG型可控硅。

频率在4000HZ---8000HZ的选定关断时间在6µs—-9µs的KA型可控硅。

2)根据中频炉的输出功率选定；

根据并联桥式逆变线路的理论计算,流过每个可控硅的电流是总电流的0.455倍,考虑留有足够大的空间，,通常都选定和额定电流同样大小的可控硅。

功率在50KW----100KW 的选定电流300A/1400V的可控硅。(380V进相电压)

功率在100KW—-250KW 的选定电流500A/1400V的可控硅。(380V进相电压)

功率在350KW—-400KW 的选定电流800A/1600V的可控硅。(380V进相电压)

功率在500KW—-750KW的选定电流1500A/1600V的可控硅。(380V进相电压)

功率在800KW—1000KW的选定电流1500A/2500V的可控硅。(660V进相电压)

功率在1200KW-1600KW的选定电流2000A/2500V的可控硅。(660V进相电压)

功率在1800KW-2500KW的选定电流2500A/3000V的可控硅。(1250V进相电压)